Solid SiC-kantring

Viktige ytelsesfunksjoner

Semixlab Bulk SiC Edge Ring er konstruert for å møte de strenge kravene til neste generasjons halvlederproduksjon. Følgende ytelsesegenskaper gjør den til et foretrukket valg for plasma-etsningskamre i avanserte fabrikker:

● Utmerket motstand mot plasmabombardement

Kantringen er produsert av høyrent fast silisiumkarbid, og viser eksepsjonell motstandskraft mot plasma med høy tetthet, noe som sikrer minimal slitasje og forlenget levetid for komponenter under intens ionebombardement.

● Overlegen motstand mot gasskorrosjon

SiC-materiale har høy kjemisk inertitet og motstår effektivt korrosive etsegasser som Cl₂, CF₄ og SF₆ uten overflatenedbrytning, selv i miljøer med høy temperatur.

● Enestående motstand mot termisk sjokk og termisk belastning

Med en varmeledningsevne på 120–150 W/m·K og en lav termisk utvidelseskoeffisient (~4.5×10⁻⁶/K) opprettholder den solide SiC-strukturen dimensjonsstabilitet og mekanisk integritet under rask termisk sykling.

● Glatt overflate, partikkelfri drift

Avanserte overflatebehandlingsteknikker sikrer lav overflateruhet (Ra ≤ 0.2 µm), noe som minimerer partikkelgenerering og forenkler rengjøringsprosesser for kammeret, noe som reduserer nedetid.

● Ingen vridning eller deformasjon over tid

I motsetning til konvensjonelle komposittkantringer, forblir vår monolittiske SiC-design flat og dimensjonsstabil gjennom lengre prosesssykluser, og gir pålitelig ytelse over lang levetid.

Hvorfor velge Semixlab SiC-kantringer?

Hos Semixlab leverer vi overlegen kvalitet, støttet av ekspertise og innovasjon. Her er hvorfor Semixlab SiC-kantringer skiller seg ut:

● Skreddersydde løsninger

Vi tilbyr full tilpasning basert på dine prosessspesifikasjoner, inkludert indre/ytre diametere, tykkelse og spesielle overflatebelegg eller teksturer, noe som sikrer perfekt passform og optimal ytelse i etsekammeret ditt.

● Omfattende utvalg av typer

Semixlab støtter ulike etseverktøyplattformer, inkludert TEL, Lam, AMAT og tilpassede OEM-systemer, med både standard og verktøyspesifikke kantringer tilgjengelig for å dekke ulike prosessbehov.

● Stabil kvalitet, rask levering

Med ISO-sertifisert produksjon, streng kvalitetskontroll og en strømlinjeformet forsyningskjede sikrer vi jevn deleytelse, korte ledetider og levering til rett tid for å holde produksjonen i gang uten forsinkelser.

Kjernefysiske egenskaper til fast SiC

Anvendelse i halvlederproduksjon

Solid SiC Edge Ring er en viktig komponent i plasmaetsingsprosessen for silisiumskiver, der den fungerer som et beskyttende og strukturelt grensesnitt mellom skiven og kammerets maskinvare. Denne komponenten er plassert rundt kanten av skiven, og sikrer prosessstabilitet, beskytter den elektrostatiske chucken (ESC) og reduserer risikoen for forurensning ved å forhindre partikkelopphopning. Den er spesielt verdifull i høypresisjons tørretsings- og RIE-miljøer (reaktiv ionetsing) der prosessrepeterbarhet, kammerbeskyttelse og langsiktig pålitelighet er avgjørende.