SiC-belagt grafittholder for ICP

Multi-wafer Si epitaksial prosesseringsplattform

Semixlab SiC-belagt grafittholder for ICP er spesielt utviklet for induktivt koblet plasmaetsing og avsetning. Den bruker et høyrent grafittsubstrat kombinert med en silisiumkarbidbeleggprosess for å gi utmerket høytemperaturmotstand, korrosjonsmotstand og oksidasjonsmotstand. Den er egnet for tøffe analytiske miljøer, noe som forlenger komponentenes levetid betydelig og reduserer vedlikeholdskostnader. Samtidig garanterer vi streng kvalitetskontroll, tilpassede tjenester og rask levering.

Påføring:

SiC-belagt grafittholder er en nøkkelkomponent i etsnings- og avsetningsprosesser for halvledere med induktivt koblet plasma (ICP) på grunn av deres høye renhet, høye temperaturmotstand og utmerkede plasmaerosjonsmotstand.

Tjenester som kan tilbys:

kundeapplikasjonsscenarioanalyse, matchende materialer, teknisk problemløsning.

Firma profil:

Semixlab har 2 laboratorier, et team av eksperter med 20 års materialerfaring, med FoU og produksjon, testing og verifikasjonsevner.

Tekniske parametere

Hovedapplikasjonsfelt

Godkjenning av verifisering av økologisk kjede

Semixlab SiC-belagt grafittholder for ICPs økologiske kjedeverifisering dekker råvarer til produksjon, har bestått internasjonal standardsertifisering og har en rekke patenterte teknologier for å sikre pålitelighet og bærekraft innen halvleder- og ny energi.

For detaljerte tekniske spesifikasjoner, rapporter eller prøvetestordninger, vennligst kontakt vårt tekniske supportteam for å utforske hvordan Semixlab kan forbedre prosesseffektiviteten din.

Semixlab SiC-belagt grafittholder for ICP-kjernefordeler

Super korrosjonsbestandighet

SiC-belagte grafittholdere bruker en kjemisk dampavsetningsprosess for å danne et tett beskyttende lag av silisiumkarbid på grafittoverflaten, som effektivt motstår korrosjon fra sterke syrer, baser og organiske løsemidler. Sammenlignet med tradisjonelle grafitt- eller metallholdere er disse holderne mer stabile ved håndtering av svært korrosive prøver, og forhindrer forurensning på grunn av materialnedbrytning. De er spesielt egnet for ICP-applikasjoner som involverer langvarig eksponering for korrosive medier.

Høy temperaturstabilitet

I ICP-plasmamiljøet med høy temperatur oksideres og ablateres vanlig grafitt lett, men SiC-belegget hemmer reaksjonen mellom grafittsubstratet og oksygen betydelig. Dens høye temperaturmotstand sikrer at holderen opprettholder sin strukturelle integritet under langvarige driftsforhold ved høy temperatur, og forhindrer forringelse av instrumentets ytelse på grunn av termisk deformasjon eller materialtap. Den er spesielt egnet for kontinuerlige testbehov i laboratorier med høy gjennomstrømning.

Høy mekanisk styrke

SiC har en hardhet som er nær diamantens, og belegget forbedrer slitestyrken til den hardere overflaten betydelig. I ICP reduserer SiC-belegg overflateslitasje og utvider presisjonen til nøkkelkomponenttilpasningen, og opprettholder dermed stabil ioneoverføringseffektivitet og reduserer utskiftingsfrekvensen.

Kostnadseffektiv

Sammenlignet med ren SiC eller platina opprettholder SiC-belagt grafitt utmerket ytelse samtidig som den reduserer kostnadene med 30–50 %. Levetiden er 3–5 ganger høyere enn for vanlige grafittholdere, noe som reduserer nedetid og forbruksvarer betydelig. Det er en optimalt kostnadseffektiv løsning, spesielt for laboratorier med begrensede budsjetter som krever langsiktig stabil drift.