TaC-belagt rotasjonsplate

Semixlab TaC-belagt rotasjonsplate er konstruert for høytemperatur- og korrosive miljøer som vanligvis forekommer i halvlederepitaksi, CVD og krystallvekstprosesser. Disse rotasjonsplatene spiller en sentral rolle i å støtte waferbærere eller susceptorer under kontinuerlig substratrotasjon, og sikrer jevn termisk fordeling og avsetning. Ved å påføre et tantalkarbid (TaC)-belegg oppnår denne komponenten eksepsjonell holdbarhet, termisk stabilitet og prosesslevetid i krevende vakuum- og høytemperatur-halvlederapplikasjoner.

Semixlabs tilpasnings- og støttetjenester

● Tilpasset beleggtykkelse og geometri

Enten det gjelder rotasjonsplater på 200 mm, 300 mm eller tilpassede plater, leverer teamet til Semixlanb geometrispesifikke TaC-beleggløsninger skreddersydd for ditt prosessmiljø.

● Rådgivning om materialvalg

Trenger du hjelp til å velge mellom grafitt-, SiC- eller kvartssubstrater? Våre ingeniører hjelper deg med å velge det optimale basismaterialet for TaC-belegget ditt.

● Rask prototyping og småskalatjenester

Semixlab er ideell for FoU og pilotproduksjon, og støtter bestillinger med lav MOQ og korte leveringstider.

● Responsiv kundestøtte etter salg

Fra installasjonsveiledning til sporing av beleggets ytelse, sørger vårt tekniske team for at du får langsiktig verdi og pålitelighet fra hver komponent vi leverer.

● Epitaksialvekst av SiC og GaN

● Metallorganisk kjemisk dampavsetning (MOCVD)

● Kjemisk dampavsetning ved lavt/høyt trykk (LPCVD / HPCVD)

● Safir- og SiC-krystallvekstovner

● Avanserte tynnfilmbehandlingskamre

silisiumkarbid epitaksial vekstovn og kjernetilbehør

Som en ledende produsent og leverandør av TaC-belagte rotasjonsplater i Kina, med dyp bransjeekspertise, presisjonsbeleggteknologi og et sterkt engasjement for innovasjon, leverer Semixlab TaC-belagte komponenter som oppfyller de strenge standardene i halvlederindustrien. Vi håper inderlig å bli din langsiktige partner i Kina.

Viktige fysiske egenskaper og ytelsesfordeler

1. Eksepsjonell termisk stabilitet

TaC har et smeltepunkt på over 3880 °C, noe som gjør den belagte rotasjonsplaten usedvanlig stabil under langvarig høytemperaturbehandling.

Denne termiske motstandskraften er avgjørende for MOCVD-, LPCVD- og PVD-systemer, der substrater utsettes for varierende og ekstreme temperaturer.

2. Overlegen kjemisk inertitet

Tantalkarbid er kjemisk inert mot de fleste aggressive gasser og etsende biprodukter, inkludert klor, hydrogen og halogenerte forbindelser.

Denne kjemiske motstanden sikrer langsiktig ytelse og redusert forurensningsrisiko, noe som er kritisk for SiC-epitaksi, GaN-avsetning og oksidfilmvekst.

3. Enestående hardhet og erosjonsmotstand

Med en Vickers-hardhet over 2000 HV motstår den TaC-belagte overflaten mekanisk slitasje fra roterende mekanismer og partikkelpåvirkning.

Fordelen gir lengre levetid og lavere utskiftingsfrekvens, noe som minimerer nedetid for vedlikehold i halvlederproduksjon.
linjer.

4. Utmerket belegguniformitet og vedheft

Semixlabs proprietære CVD-beleggprosess sikrer tette, ensartede og godt festende TaC-lag, som er avgjørende for konsistente prosessresultater og minimal partikkelgenerering.